Samsung приступает к массовому производству 3-х битной MLC NAND на 128 Гбит. |
Корейский производитель электроники, компания Samsung Electronics, заявила о весомом событии, касающемся собственного технологического роста, а именно начале масштабного изготовления 3-х битной MLC NAND-памяти объема в 128 Гбит.
В процессе создания данного вида памяти была использована современная технология 10-нм класса.
Представленная компанией Samsung новинка, позволяющая обеспечить высокую емкость NAND в расчете на 1 ячейку памяти, должна быть высоко востребованной в разнообразных высокоплотных системах памяти.
Например, в различного рода SSD-накопителях и всевозможных встраиваемых компонентах.
Как заявляет корейский производитель, пропускные возможности NAND-памяти должны составить четыреста мегабит в секунду, что на сегодняшний день очень даже неплохо.
Что касается показателей емкости, то, если верить заявлениям вендора, - они самые большие среди всей индустрии данного рода продуктов.
Если говорить о том, в каких областях будет применяться новая разработка, то она найдет применение в увеличении оригинальных поставок 128 Гб картах памяти и SSD-накопителях повышенного объема.
Помимо этого, анонсированная MLC NAND-память отличается поддержкой Toggle DDR версии 2.0.
Порекомендуйте эту статью своим друзьям:
Читайте также:
Rapoo выпустила комплект V100
Умные очки Sony Smart Eyeglass Developer Edition
LG 29UC97 - изогнутый 29-ти дюймовый монитор
GeIL выпустила модули памяти Super Luce DDR4 с активной подсветкой
GOODRAM представил игровую линейку SSD Iridium
Новые изогнутые мониторы корейской компании Samsung
Мини-компьютер Pipo X7s на платформе Intel Bay Trail
Набор модулей памяти Corsair Dominator Platinum DDR4-3400 Limited Edition Orange
OCZ выпустила флагманский SSD Vector 180
Cтол-компьютер Lenovo Horizon 2
|